Tunnelli diod

Tunnelli diodi yoki Esaki diodi, tunnel effekti deb ataladigan kvanto mexanik effekt tufayli "manfiy qarshilik" ga ega bo'lgan yarimo'tkazgichli diod turidir. U 1957 yil avgust oyida Leo Esaki, Yuriko Kurose va Takashi Suzuki tomonidan, ular Sony^[1] nomi bilan mashhur Tokio Tsushin Kogyoda ishlayotganlarida ixtiro qilingan. 1973 yilda Esaki Brayan Jozefson bilan birgalikda ushbu diodlarda ishlovchi elektron tunnel effektini kashf etgani uchun fizika bo'yicha Nobel mukofotini oladi. Robert Noys Uilyam Shoklida uchun ishlayotganida mustaqil ravishda tunnel diodi g'oyasini o'ylab topadi, lekin uni amalga oshira olmaydi. ^[2] Tunnel diodlari birinchi marta Sony tomonidan 1957 yilda ^[3] ishlab chiqarilgan, keyin General Electric va boshqa kompaniyalar taxminan 1960 yillarda ishlab chiqariladi. Bugungi kunda ham kam hajmda ishlab chiqariladi. ^[4]

Tunnel diodlari 10 nm (100 Å ) kenglikga ega kuchli doping qilingan (PN) o'tishga dan iborat. Og'ir doping natijasida singan potensial to'siq paydo bo'ladi, bu yerda N tomonidagi o'tkazuvchanlik zonasi elektronlar holatlari P tomonidagi valentlik diapazoni kovaklar holatlari bilan ko'proq yoki kamroq mos keladi. Ular odatda germaniydan tayyorlanadi, ammo galyum arsenid va kremniy materiallaridan ham tayyorlanishi mumkin.

Qo'llanilishi

Ishlash diapazonining bir qismidagi "manfiy" differensial qarshilik ularga uzib ulovchi histerezdan foydalangan holda osilatorlar va kuchaytirgichlar sifatida ishlashga imkon beradi. Ular, shuningdek, chastota konvertorlari va detektorlari sifatida ishlatiladi. ^[5] ^:7–35Ularning kichiksig'imi oddiy diodlar va tranzistorlar diapazonidan ancha yuqori bo'lgan mikroto'lqinli chastotalarda ishlashga imkon beradi.

↑ Esaki, Leo (1958-01-15). "New Phenomenon in Narrow Germanium p−n Junctions". Physical Review 109 (2): 603–604. doi:10.1103/PhysRev.109.603. http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.109.603.
↑ Berlin, Leslie. The Man Behind the Microchip: Robert Noyce and the Invention of Silicon Valley. Oxford, UK: Oxford University Press, 2005. ISBN 0-19-516343-5.
↑ {{Yangiliklar manbasi}} andozasidan foydalanishda title= parametri belgilanishi kerak.
↑ Rostky. „Tunnel diodes: the transistor killers“. EE Times. 2010-yil 7-yanvarda asl nusxadan arxivlangan. Qaraldi: 2009-yil 2-oktyabr.
↑ Electronic Engineers Handbook Fink, Donald G.: . New York, NY: McGraw Hill, 1975. ISBN 0-07-020980-4.

[1] Esaki, Leo (1958-01-15). "New Phenomenon in Narrow Germanium p−n Junctions". Physical Review 109 (2): 603–604. doi:10.1103/PhysRev.109.603. http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.109.603.

[2] Berlin, Leslie. The Man Behind the Microchip: Robert Noyce and the Invention of Silicon Valley. Oxford, UK: Oxford University Press, 2005. ISBN 0-19-516343-5.

[3] {{Yangiliklar manbasi}} andozasidan foydalanishda title= parametri belgilanishi kerak.

[4] Rostky. „Tunnel diodes: the transistor killers“. EE Times. 2010-yil 7-yanvarda asl nusxadan arxivlangan. Qaraldi: 2009-yil 2-oktyabr.

[Fink-5] Electronic Engineers Handbook Fink, Donald G.: . New York, NY: McGraw Hill, 1975. ISBN 0-07-020980-4.

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]